TK3A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
Deutsch
Artikelnummer: | TK3A65D(STA4,Q,M) |
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Hersteller / Marke: | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.61 |
10+ | $1.44 |
100+ | $1.123 |
500+ | $0.9277 |
1000+ | $0.7324 |
2000+ | $0.6836 |
5000+ | $0.6494 |
10000+ | $0.625 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.4V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220SIS |
Serie | π-MOSVII |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.25Ohm @ 1.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 35W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A (Ta) |
Grundproduktnummer | TK3A65 |
TK3A65D(STA4,Q,M) Einzelheiten PDF [English] | TK3A65D(STA4,Q,M) PDF - EN.pdf |
TK3A65DA TK3A65D TOSHIBA/
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MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
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TOSHIBA TO-220F
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2023/12/20
2024/08/24
2024/06/14
2024/04/13
TK3A65D(STA4,Q,M)Toshiba Semiconductor and Storage |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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